图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IRFSL11N50APBF |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 500V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 51nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1426pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 190W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 550@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 典型上升时间 | 34 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 典型下降时间 | 27 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 包装宽度 | 4.83(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 190000 |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 550@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-262 |
| 标准包装名称 | I2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 50 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262-3 |
| 其他名称 | *IRFSL11N50APBF |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 550 mOhm @ 6.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 190W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1426pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 51nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 550 mOhms |
| 功率耗散 | 190 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 34 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 27 ns |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 9.65 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 技术 | Si |
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