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| 规格书 |
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| 文档 |
IRFS4115PBF Spice Model IRFS4115PBF Saber Model Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 TO-262 FET 04/Jul/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 150V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 195A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 12.1 mOhm @ 62A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 120nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 5270pF @ 50V |
| 功率 - 最大 | 375W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 最大连续漏极电流 | 195 A |
| RDS -于 | 12.1@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 18 ns |
| 典型上升时间 | 73 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 典型下降时间 | 39 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 4.83(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 375000 |
| 最大漏源电压 | 150 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 12.1@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-262 |
| 标准包装名称 | I2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.67(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 9.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 195 |
| 封装 | Tube |
| 标签 | Tab |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 195A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 150V |
| 供应商设备封装 | TO-262 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 12.1 mOhm @ 62A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 375W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5270pF @ 50V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 120nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 99 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 375 W |
| 封装/外壳 | TO-262 |
| 漏源击穿电压 | 150 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 77 nC |
| 漏极电流（最大值） | 195 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0121 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-262 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 150 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Compliant |
| 漏源极电压 (Vdss) | 150V |
| 系列 | HEXFET® |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5270pF @ 50V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 12.1 mOhm @ 62A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 120nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 功率 - 最大值 | 375W |
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