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| 规格书 |
IRF640S(L)/SIHF640S(L) |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 70nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 130W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 4.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 130000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最大漏源电阻 | 180@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-262 |
| 标准包装名称 | I2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 9.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 18 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商设备封装 | I2PAK |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 130W |
| 标准包装 | 50 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 70nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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