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文档 |
IRF640NSPBF Spice Model IRF640NSPBF Saber Model Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 18A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 150 mOhm @ 11A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 67nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1160pF @ 25V |
功率 - 最大 | 150W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3D2PAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 18 A |
RDS -于 | 150@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
典型上升时间 | 19 ns |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
典型下降时间 | 5.5 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 18A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 150 mOhm @ 11A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 150W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1160pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 67nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IRF640NSTRLPBFCT |
工厂包装数量 | 800 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 18 A |
正向跨导 - 闵 | 6.8 S |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 150 mOhms |
功率耗散 | 150 W |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | D2PAK |
栅极电荷Qg | 44.7 nC |
上升时间 | 19 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 200 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 5.5 ns |
漏极电流(最大值) | 18 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.15 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | D2PAK |
引脚数 | 2 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 200 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
ChannelType | N |
Current,Drain | 18A |
GateCharge,Total | 67nC |
PackageType | D2Pak |
极化方式 | N-Channel |
PowerDissipation | 150W |
Resistance,DraintoSourceOn | 0.15Ohm |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 1°C/W |
Temperature,Operating,Maximum | +175°C |
Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
Time,Turn-OffDelay | 23ns |
Time,Turn-OnDelay | 10ns |
Transconductance,Forward | 6.8S |
Voltage,Breakdown,DraintoSource | 200V |
Voltage,DraintoSource | 200V |
Voltage,Forward,Diode | 1.3V |
Voltage,GatetoSource | ±20V |
案例 | D2PAK |
Transistor type | N-MOSFET |
功率 | 150W |
Drain-source voltage | 200V |
极化 | unipolar |
Drain current | 18A |
Multiplicity | 800 |
Gross weight | 0.43 g |
Package type | roll |
Collective package [pcs] | 800 |
spg | 800 |
associated | IRFS4620PBF |
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