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厂商型号

STSA851-AP 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw

内部编号

390-STSA851-AP

生产厂商

STMicroelectronics

STM

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

STSA851-AP产品详细规格

规格书 STSA851-AP datasheet 规格书
STSA851
Rohs Lead free / RoHS Compliant
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标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 450mV @ 200mA, 5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 150 @ 2A, 1V
功率 - 最大 1.1W
频率转换 130MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92AP
包装材料 Tape & Box (TB)
集电极最大直流电流 5
最低工作温度 -65
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 130(Typ)
包装宽度 3.94(Max)
PCB 3
最大功率耗散 1100
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 150
最大集电极发射极电压 60
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 4.95(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 150@10mA@1V|150@2A@1V|90@5A@1V|30...
包装高度 4.95(Max)
最大基地发射极电压 7
封装 Ammo
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 130MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 450mV @ 200mA, 5A
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-92AP
功率 - 最大 1.1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 150 @ 2A, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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