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stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最小直流电流增益 | 200@100mA@2V|85@5A@2V|20@10A@2V |
| 最大工作频率 | 150(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.05@5mA@100mA|0.3@50mA@2A|0.4@150mA@3A|0.6@200mA@5A V |
| 最大集电极基极电压 | 150 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1100 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 集电极最大直流电流 | 5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 1100 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 150(Typ) |
| 封装 | Ammo |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 150 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Formed |
| P（ TOT ） | 1.1W |
| 匹配代码 | STSA1805-AP |
| I（C ） | 5A |
| V（ CEO ） | 60V |
| 单位包 | 2000 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 6000 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 200 |
| V（ CBO ） | 150V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 200mA, 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-92AP |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 100mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 497-3532-1 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 200 mV |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 150 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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