图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
STAC150V2-350E |
| 单位包 | 25 |
| 最小起订量 | 50 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 700V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | STAC177B |
| 电压 - 测试 | 150V |
| 封装 | Tray |
| 频率 | 40.68MHz |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | STAC177B |
| 额定电流 | 1µA |
| 功率 - 输出 | 500W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 1 uA |
| 系列 | STAC |
| 输出功率 | 500 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 700 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 700 V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | Si |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Id - Continuous Drain Current | 1 uA |
| 工作频率 | 40.68 MHz |
| 类型 | RF Power MOSFET |
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