STMicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大频率 | 250 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 450(Typ) |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 75 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tray |
| 典型功率增益 | 21 |
| 最大漏源电压 | 130 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 典型输入电容@ VDS | 425@50V |
| 最大功率耗散 | 625000 |
| 最大连续漏极电流 | 40 |
| 引脚数 | 5 |
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 130V |
| 标准包装 | 20 |
| 供应商设备封装 | STAC244F |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 频率 | 175MHz |
| 封装/外壳 | STAC244F |
| 电流 - 测试 | 250mA |
| 额定电流 | 40A |
| 功率 - 输出 | 450W |
| 其他名称 | 497-8765 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 正向跨导 - 闵 | 5 S |
| 漏源击穿电压 | 130 V |
| 功率耗散 | 625 W |
| 输出功率 | 450 W |
| 增益 | 21 dB at 175 MHz |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Dual |
| 类型 | N |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Drain Source Voltage Vds | :130V |
| Continuous Drain Current Id | :40A |
| 功耗 | :625W |
| Operating Frequency Max | :250MHz |
| RF Transistor Case | :STAC244B |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Operating Frequency Range | :250MHz |
| Power Dissipation Max | :625W |
| Weight (kg) | 0.0021 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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