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规格书 |
![]() 2N700(0,2) Datasheet |
文档 |
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其他相关文件 | 2N7000 View All 规格 |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 350mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 43pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk;;其他的名称; |
最大门源电压 | ±18 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 3.94(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1000 |
最大漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 5000@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 4.95(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 4.95(Max) |
最大连续漏极电流 | 0.35 |
封装 | Bag |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 200mA (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 43pF @ 25V |
其他名称 | 497-3110 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 2nC @ 5V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
Current,Drain | 0.35A |
GateCharge,Total | 1.4nC |
PackageType | TO-92 |
极化方式 | N-Channel |
PowerDissipation | 1W |
Resistance,DraintoSourceOn | 1.8Ohms |
Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
Time,Turn-OffDelay | 7ns |
Time,Turn-OnDelay | 5ns |
Transconductance,Forward | 0.6S |
Voltage,Breakdown,DraintoSource | 60V |
Voltage,Forward,Diode | 1.2V |
Voltage,GatetoSource | ±18V |
associated | 2N7000 EYGA091203SM |
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