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文档 |
Multiple Devices 03/Oct/2007 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 03/Oct/2007 |
标准包装 | 2,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 200mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 60pF @ 25V |
功率 - 最大 | 350mW |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 形式ed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Ammo |
最大漏源电阻 | 5000@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大功率耗散 | 350 |
最大连续漏极电流 | 0.2 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 200mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 1mA |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 350mW |
标准包装 | 2,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 60pF @ 25V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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