SSM6J205FE

产品描述

MOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin

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规格书
工厂包装数量	8000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	P-Channel
源极击穿电压	+/- 8 V
连续漏极电流	0.8 A
安装风格	SMD/SMT
功率耗散	500 mW
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	ES-6
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	20 V
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V
封装	Reel
产品	MOSFET Small Signal
品牌	Toshiba
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current	- 80 mA
长度	1.6 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	234 mOhms
通道模式	Enhancement
系列	SSM6J205
身高	0.55 mm
Pd - Power Dissipation	500 mW
技术	Si

型号	厂家	产品描述
SSM6J205FE(TE85L,F	Toshiba	MOSFET Singel P-ch 20V 0.8A
SSM6J06FU(TE85L,F)	Toshiba	MOSFET Vds=-20V Id=-1.1A 6Pin
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