Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.3A (Ta) |
| 供应商设备封装 | US6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 370pF @ 10V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 其他名称 | SSM6J08FUTE85LFCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.3A (Ta) |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
