Toshiba
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 0.8 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | ES-6 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| 封装 | Reel |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Toshiba |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 80 mA |
| 长度 | 1.6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 234 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | SSM6J205 |
| 身高 | 0.55 mm |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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