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厂商型号

MPSA42_D81Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor High Voltage

内部编号

3-MPSA42-D81Z

#1

数量:2188
1+¥2.307
25+¥2.163
100+¥1.71
250+¥1.473
500+¥1.267
1000+¥1.082
2000+¥0.959
最小起订量:1
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MPSA42_D81Z产品详细规格

规格书 MPSA42_D81Z datasheet 规格书
MPSA42, MMBTA42, PZTA42
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 50(Min)
包装宽度 4.19(Max)
PCB 3
最大功率耗散 625
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
最大集电极发射极电压 300
供应商封装形式 TO-92
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
Package Length 5.2(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V
Package Height 5.33(Max)
最大基地发射极电压 6
封装 Tape and Reel
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 30mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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