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厂商型号

MPSA42_D26Z 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor High Voltage

内部编号

3-MPSA42-D26Z

#1

期货
1 ¥1.798
25 ¥1.302
100 ¥1.097
250 ¥0.787
500 ¥0.651
1000 ¥0.49

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MPSA42_D26Z产品详细规格

规格书 MPSA42_D26Z datasheet 规格书
MPSA42, MMBTA42, PZTA42
MPSA42_D26Z datasheet 规格书
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 300
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 30mA, 10V
其他名称 MPSA42_D26ZTR
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
associated MPSA42G.
MPSA42RLRAG
MPSA42"D27Z

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