图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMPQ2222 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | 4 NPN (Quad) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 150mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 300MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Surface Mount |
| Maximum Transition Frequency | 300 |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 16 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 4 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 10(Max) |
| 引脚数 | 16 |
| 最小直流电流增益 | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@1... |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | 4 NPN (Quad) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | 16-SOIC |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMPQ2222CT |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | 4 NPN (Quad) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA, 1V |
| 封装/外壳 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
| associated | RE932-04 |
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