fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 16SOIC N |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 16 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@1V|40@500mA@10V |
| 最大工作频率 | 300(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@15mA@150mA|1@50mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 75 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 300(Typ) |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 16 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 4 |
| 最大集电极基极电压 | 75 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Length | 10(Max) |
| Package Height | 1.5(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | 4 NPN (Quad) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | 16-SOIC |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
| 其他名称 | MMPQ2222ATR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 75 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 300 MHz |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 元件数 | 4 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 频率 | 300 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 直流电流增益 | 35 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| Transition Frequency ft | :300MHz |
| 功耗 | :1W |
| DC Collector Current | :500mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :16 |
| MSL | :MSL 3 - 168 hours |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.000638 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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