规格书 |
![HGTD7N60C3S9A datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
IGBT 型
|
- |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic |
2V @ 15V, 7A |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
14A |
功率 - 最大 |
60W |
Input 型
|
Standard |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252AA |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
配置 |
Single |
最大集电极发射极电压 |
600 V |
最大连续集电极电流 |
14 A |
最大栅极发射极电压 |
±20 V |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
产品种类 |
IGBT Transistors |
RoHS |
RoHS Compliant |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
600 V |
集电极 - 发射极饱和电压 |
1.6 V |
连续集电极电流在25 C |
14 A |
栅极 - 射极漏泄电流 |
+/- 250 nA |
功率耗散 |
60 W |
最高工作温度 |
+ 150 C |
封装/外壳 |
TO-252AA-3 |
封装 |
Reel |
连续集电极电流Ic最大 |
14 A |
最低工作温度 |
- 40 C |
安装风格 |
SMD/SMT |
工厂包装数量 |
2500 |
零件号别名 |
HGTD7N60C3S9A_NL |
寿命 |
NRND: Not recommended for new designs. |
供应商封装形式 |
DPAK |
最大栅极发射极电压 |
±20 |
最大连续集电极电流 |
14 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
包装宽度 |
6.1 |
标准包装名称 |
DPAK |
包装高度 |
2.3 |
最大功率耗散 |
60000 |
渠道类型 |
N |
最大集电极发射极电压 |
600 |
标签 |
Tab |
PCB |
2 |
包装长度 |
6.6 |
最低工作温度 |
-40 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
栅极电荷 |
23nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
14A |
安装类型 |
Surface Mount |
开关能量 |
165µJ (on), 600µJ (off) |
时间Td(开/关) @ 25°C |
8.5ns/350ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 |
2V @ 15V, 7A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
600V |
供应商设备封装 |
TO-252AA |
功率 - 最大 |
60W |
输入类型 |
Standard |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) |
56A |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
系列 |
HGTD7N60 |
单位重量 |
0.009184 oz |
集电极电流( DC)(最大值) |
14 A |
集电极 - 发射极电压 |
600 V |
包装类型 |
DPAK |
工作温度(最大) |
150C |
工作温度(最小值) |
-40C |
工作温度分类 |
Automotive |
Gate to Emitter Voltage (Max) |
�20 V |
弧度硬化 |
No |
集电极电流(DC ) |
14 A |
输入类型 |
Standard |
开关能量 |
165µJ (on), 600µJ (off) |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) |
56A |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) |
2V @ 15V, 7A |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
闸极电荷 |
23nC |
功率 - 最大值 |
60W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) |
14A |
电压 - 集射极击穿(最大值) |
600V |
宽度 |
6.1 mm |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
长度 |
6.6 mm |
连续集电极电流 |
14 A |
身高 |
2.3 mm |
Pd - Power Dissipation |
60 W |
技术 |
Si |