1. HGTD1N120BNS9A
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厂商型号

HGTD1N120BNS9A 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-HGTD1N120BNS9A

#1

数量:1584
1+¥8.24
10+¥7.287
25+¥6.579
100+¥5.757
250+¥5.049
500+¥4.478
1000+¥3.541
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:3460
1+¥9.2993
10+¥7.4531
100+¥5.7437
500+¥5.0804
1000+¥4.0069
2500+¥3.5419
5000+¥3.4736
10000+¥3.412
25000+¥3.159
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#3

数量:13631
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

HGTD1N120BNS9A产品详细规格

规格书 HGTD1N120BNS9A datasheet 规格书
HGTD1N120BNS9A datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
IGBT 型 NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
- 集电极电流(Ic)(最大) 5.3A
功率 - 最大 60W
Input 型 Standard
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252AA
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3DPAK
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 5.3 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Surface Mount
标准包装 Cut Tape
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 DPAK
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 5.3
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DPAK
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 1200
最大功率耗散 60000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
栅极电荷 14nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 5.3A
安装类型 Surface Mount
开关能量 70µJ (on), 90µJ (off)
时间Td(开/关) @ 25°C 15ns/67ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.9V @ 15V, 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 TO-252AA
功率 - 最大 60W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IGBT类型 NPT
测试条件 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 6A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 HGTD1N120BNS9ACT
工厂包装数量 2500
集电极 - 发射极饱和电压 2.5 V
产品种类 IGBT Transistors
栅极 - 射极漏泄电流 +/- 250 nA
连续集电极电流Ic最大 5.3 A
系列 HGTD1N120BNS
连续集电极电流在25 C 5.3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
单位重量 0.009184 oz
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 60 W
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
品牌 Fairchild Semiconductor
身高 2.3 mm
长度 6.6 mm
技术 Si
Pd - Power Dissipation 60 W
连续集电极电流 5.3 A

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