规格书 |
![HGTD1N120BNS9A datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
IGBT 型
|
NPT |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
1200V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic |
2.9V @ 15V, 1A |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
5.3A |
功率 - 最大 |
60W |
Input 型
|
Standard |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
TO-252AA |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3DPAK |
配置 |
Single |
最大集电极发射极电压 |
1200 V |
最大连续集电极电流 |
5.3 A |
最大栅极发射极电压 |
±20 V |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Cut Tape |
标准包装 |
Tape & Reel |
供应商封装形式 |
DPAK |
最大栅极发射极电压 |
±20 |
最大连续集电极电流 |
5.3 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
DPAK |
渠道类型 |
N |
封装 |
Tape and Reel |
最大集电极发射极电压 |
1200 |
最大功率耗散 |
60000 |
最低工作温度 |
-55 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Gull-wing |
栅极电荷 |
14nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
5.3A |
安装类型 |
Surface Mount |
开关能量 |
70µJ (on), 90µJ (off) |
时间Td(开/关) @ 25°C |
15ns/67ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 |
2.9V @ 15V, 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
1200V |
供应商设备封装 |
TO-252AA |
功率 - 最大 |
60W |
输入类型 |
Standard |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IGBT类型 |
NPT |
测试条件 |
960V, 1A, 82 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) |
6A |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
HGTD1N120BNS9ACT |
工厂包装数量 |
2500 |
集电极 - 发射极饱和电压 |
2.5 V |
产品种类 |
IGBT Transistors |
栅极 - 射极漏泄电流 |
+/- 250 nA |
连续集电极电流Ic最大 |
5.3 A |
系列 |
HGTD1N120BNS |
连续集电极电流在25 C |
5.3 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
1200 V |
单位重量 |
0.009184 oz |
安装风格 |
SMD/SMT |
功率耗散 |
60 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
身高 |
2.3 mm |
长度 |
6.6 mm |
技术 |
Si |
Pd - Power Dissipation |
60 W |
连续集电极电流 |
5.3 A |