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厂商型号

FQPF5N80 

产品描述

MOSFET 800V N-Channel QFET

内部编号

3-FQPF5N80

#1

数量:610
1+¥8.0902
25+¥7.4738
100+¥7.1657
500+¥6.9345
1000+¥6.5492
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

FQPF5N80产品详细规格

标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 800V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.6 Ohm @ 1.4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 33nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1250pF @ 25V
功率 - 最大 47W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220F
标准包装名称 TO-220F
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.8A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 800V
标准包装 1,000
供应商设备封装 TO-220F
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.6 Ohm @ 1.4A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 47W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 1250pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 33nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 2.8 A
零件号别名 FQPF5N80_NL
下降时间 40 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.074950 oz
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 3.7 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 55 ns
源极击穿电压 +/- 30 V
RDS(ON) 2.6 Ohms
安装风格 Through Hole
功率耗散 47 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 60 ns
漏源击穿电压 800 V

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