图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:545 |
|
最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#2 |
数量:3631 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
|
|||||||||||||||||||
#3 |
数量:4 |
|
最小起订量:1 荷兰阿姆斯特丹 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 400V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 1.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 460pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 Full Pack |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220F |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 400 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 1600@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 60 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大漏源电阻 | 1600@10V |
| 最大漏源电压 | 400 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| 最大功率耗散 | 35000 |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 35W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 460pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 封装/外壳 | TO-220F |
| 下降时间 | 30 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.080072 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 2.8 S |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 系列 | FQPF5N40 |
| RDS（ON） | 1.6 Ohms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 35 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 60 ns |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| 漏源极电压 (Vdss) | 400V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 460pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 1.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| FET 功能 | Standard |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 功率 - 最大值 | 35W |
| 极性 | N |
| Closing resistance | 1.27 Ohm |
| Recovery time | 190 ns |
| Drain current | 3 A |
| Power dissipation | 35 |
| Operating temperature | -55...150 °C |
| Housing type | TO-220 |
| Drain source voltage | 400 V |
| Variants | Enhancement mode |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | QFET |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| 长度 | 10.36 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms |
| 身高 | 16.07 mm |
| Pd - Power Dissipation | 35 W |
| 技术 | Si |
FQPF5N40也可以通过以下分类找到
FQPF5N40相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家