#1 |
数量:2636 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1000 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:299 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
![]() FQP(F)4N90C |
Confezione fornitore | TO-220F |
Montaggio | Through Hole |
Resistenza di sorgente di drain massima | 4200@10V |
TIPO二运河 | N |
每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
包装宽度 | 4.9(Max) |
Modalità canale | Enhancement |
PCB | 3 |
Massima tensione di drain alla fonte | 900 |
Tensione di fonte gate massima | ±30 |
符合UE | Compliant |
Categoria | Power MOSFET |
Dissipazione massima della potenza | 47000 |
Corrente di drain continua massima | 4 |
诺姆标准苏拉confezione | TO-220F |
Temperatura d'esercizio minima | -55 |
经conduttore | Through Hole |
NUMERO DEI针 | 3 |
Confezione | Tape and Reel |
包装长度 | 10.36(Max) |
包装高度 | 16.07(Max) |
Massima temperatura d'esercizio | 150 |
标签 | Tab |
工厂包装数量 | 50 |
系列 | FQPF4N90C |
单位重量 | 0.080072 oz |
封装 | Tube |
RoHS | RoHS Compliant |
连续漏极电流 | 4 A |
栅源电压(最大值) | �30 V |
功率耗散 | 47 W |
安装 | Through Hole |
漏源导通电阻 | 4.2 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220F |
引脚数 | 3 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏源导通电压 | 900 V |
弧度硬化 | No |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 900V |
标准包装 | 50 |
供应商设备封装 | TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 47W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 960pF @ 25V |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 4A (Tc) |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 22nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
晶体管极性 | N-Channel |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 4 A |
身高 | 16.3 mm |
长度 | 10.67 mm |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
技术 | Si |
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