图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2636 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1000 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:299 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 FQP(F)4N90C |
| Confezione fornitore | TO-220F |
| Montaggio | Through Hole |
| Resistenza di sorgente di drain massima | 4200@10V |
| TIPO二运河 | N |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| 包装宽度 | 4.9(Max) |
| Modalità canale | Enhancement |
| PCB | 3 |
| Massima tensione di drain alla fonte | 900 |
| Tensione di fonte gate massima | ±30 |
| 符合UE | Compliant |
| Categoria | Power MOSFET |
| Dissipazione massima della potenza | 47000 |
| Corrente di drain continua massima | 4 |
| 诺姆标准苏拉confezione | TO-220F |
| Temperatura d'esercizio minima | -55 |
| 经conduttore | Through Hole |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| Confezione | Tape and Reel |
| 包装长度 | 10.36(Max) |
| 包装高度 | 16.07(Max) |
| Massima temperatura d'esercizio | 150 |
| 标签 | Tab |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | FQPF4N90C |
| 单位重量 | 0.080072 oz |
| 封装 | Tube |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 栅源电压（最大值） | �30 V |
| 功率耗散 | 47 W |
| 安装 | Through Hole |
| 漏源导通电阻 | 4.2 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220F |
| 引脚数 | 3 +Tab |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 900 V |
| 弧度硬化 | No |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 900V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.2 Ohm @ 2A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 47W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 960pF @ 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Tc) |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 900 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| 身高 | 16.3 mm |
| 长度 | 10.67 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.2 Ohms |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
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