规格书 |
![FQPF47P06YDTU datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
50 |
FET 型
|
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
30A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
26 mOhm @ 15A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
110nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
3600pF @ 25V |
功率 - 最大 |
62W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-220-3 Full Pack |
供应商器件封装 |
TO-220F |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3TO-220F |
渠道类型 |
P |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
30 A |
RDS -于 |
26@10V mOhm |
最大门源电压 |
±25 V |
典型导通延迟时间 |
50 ns |
典型上升时间 |
450 ns |
典型关闭延迟时间 |
100 ns |
典型下降时间 |
195 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Rail / Tube |
最大门源电压 |
±25 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
175 |
标准包装名称 |
TO-220F |
最低工作温度 |
-55 |
封装 |
Tape and Reel |
最大漏源电阻 |
26@10V |
最大漏源电压 |
60 |
每个芯片的元件数 |
1 |
供应商封装形式 |
TO-220F |
最大功率耗散 |
62000 |
最大连续漏极电流 |
30 |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
30A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
供应商设备封装 |
TO-220F |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
26 mOhm @ 15A, 10V |
FET型 |
MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
62W |
封装/外壳 |
TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
3600pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
110nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
50 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
P-Channel |
最低工作温度 |
- 55 C |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 25 V |
连续漏极电流 |
30 A |
系列 |
FQPF47P06 |
单位重量 |
0.090478 oz |
RDS(ON) |
26 mOhms |
功率耗散 |
62 W |
安装风格 |
Through Hole |
上升时间 |
450 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
- 60 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
195 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
- 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
25 V |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
- 30 A |
长度 |
10.67 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
26 mOhms |
身高 |
16.3 mm |
Pd - Power Dissipation |
62 W |
技术 |
Si |