图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:24000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:470 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:6585 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Marking Content 19/Nov/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 530pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6MicroFET |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 A |
| RDS -于 | 90@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns |
| 典型上升时间 | 4 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 典型下降时间 | 18 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | MicroFET |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 90@4.5V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | MicroFET |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 最大连续漏极电流 | 2.9 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 530pF @ 15V |
| 其他名称 | FDMA3023PZTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 外形尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm |
| 身高 | 0.75mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 240 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.4 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | MicroFET |
| 典型栅极电荷@ VGS | 7.9 nC V @ -4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 400 pF V @ -15 |
| 宽度 | 2mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 2.9 A |
| 系列 | FDMA3023PZ |
| 单位重量 | 0.003527 oz |
| RDS（ON） | 90 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 1400 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | MicroFET-6 |
| 上升时间 | 4 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 4 ns |
| 漏极电流（最大值） | 2.9 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.09 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 标准包装 | 3,000 |
| Continuous Drain Current Id | :-2.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.071ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-600mV |
| 功耗 | :1.4W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :µFET |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
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