fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6MicroFET |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 120@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±8 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | MicroFET |
| Package Height | 0.5(Max) |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 120@4.5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 2 |
| 供应商封装形式 | MicroFET |
| Package Length | 2 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 3 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 6-MicroFET (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 435pF @ 10V |
| 其他名称 | FDMA1027PTTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 3 A |
| 系列 | FDMA |
| 单位重量 | 0.001411 oz |
| RDS（ON） | 120 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 1400 mW |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | MicroFET-6 |
| 上升时间 | 11 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 11 ns |
| Continuous Drain Current Id | :-3A |
| Drain Source Voltage Vds | :-20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.09ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :-700mV |
| 功耗 | :1.4W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :µFET |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85423190 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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