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| 规格书 |
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| 文档 |
Multiple Devices 28/Aug/2013 Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 82A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.2 mOhm @ 41A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 160nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 9750pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-262 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 82 A |
| RDS -于 | 4.2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 39 ns |
| 典型上升时间 | 102 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 67 ns |
| 典型下降时间 | 13 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 82A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.2 mOhm @ 41A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9750pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 160nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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