renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 55 V |
| 最大连续漏极电流 | 82 A |
| RDS -于 | 5.2@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 40 ns |
| 典型上升时间 | 93 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 9.15 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 1800 |
| 最大漏源电压 | 55 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 5.2@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10 |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.45 |
| 最大连续漏极电流 | 82 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 143W |
| 匹配代码 | NP82N055PUG-E1-AY |
| R（ THJC ） | 1.05K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 800 |
| 标准的提前期 | 22 weeks |
| 最小起订量 | 800 |
| Q（克） | 160nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | AEC-Q(101) |
| 我（D ） | 82A |
| V（ DS ） | 55V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0052Ohm |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 82A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.2 mOhm @ 41A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 55V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9600pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 160nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NP82N055PUG-E1-AYDKR |
| 连续漏极电流 | 82 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 1.8 W |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | TO-263 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 55 V |
| 弧度硬化 | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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