NTD4909NA-35G

产品描述

NFET DPAK 30V 41A 8MO

内部编号

生产厂商

数量:30450

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新加坡
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文档	Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	8.8A
Rds（最大）@ ID，VGS	8 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	17.5nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1314pF @ 15V
功率 - 最大	1.37W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	8.8A (Ta), 41A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.2V @ 250µA
封装/外壳	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	8 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.37W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1314pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS	17.5nC @ 10V
产品种类	MOSFET
工厂包装数量	75
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
晶体管类型	1 N-Channel
系列	NTD4909NA-35G
品牌	ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current	41 A
安装风格	SMD/SMT
通道数	1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	8 mOhms
晶体管极性	N-Channel
技术	Si
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
NTD4909NA-1G	on semiconductor	NFET DPAK 30V 41A 8MO
NTD4909NAT4G	ON Semiconductor	MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
NTD4909NAT4H	on semiconductor	NFET DPAK 30V 41A 8MO
NTD4909N-1G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
NTD4909N-35G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
NTD4909NT4G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NTD4909NT4G	rochester electronics

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