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厂商型号

NTD4909N-35G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

内部编号

277-NTD4909N-35G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:1
1+¥4.2394
10+¥3.1112
100+¥1.9556
1000+¥1.5111
2500+¥1.2855
10000+¥1.2034
25000+¥1.1351
50000+¥1.1145
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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原厂背书质量,全面技术支持

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NTD4909N-35G产品详细规格

规格书 NTD4909N-35G datasheet 规格书
NTD4909N-35G datasheet 规格书
NTD4909N
文档 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 8.8A
Rds(最大)@ ID,VGS 8 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1314pF @ 15V
功率 - 最大 1.37W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装 I-Pak
包装材料 Tube
包装 3IPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 12.1 A
RDS -于 8@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11|8 ns
典型上升时间 21|19 ns
典型关闭延迟时间 17|21 ns
典型下降时间 2.7|2.3 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 IPAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Rail
最大漏源电阻 8@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 IPAK
最大功率耗散 2600
最大连续漏极电流 12.1
引脚数 3
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8.8A (Ta), 41A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
封装/外壳 TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商设备封装 I-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 8 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.37W
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1314pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 17.5nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品种类 MOSFET
工厂包装数量 75
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
晶体管极性 N-Channel
Qg - Gate Charge 17.5 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
下降时间 2.3 ns
品牌 ON Semiconductor
通道数 1 Channel
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 12.1 A
Rds On - Drain-Source Resistance 8 mOhms
RoHS RoHS Compliant
系列 NTD4909N
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 2.6 W
上升时间 19 ns
技术 Si

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