1. MPSH10G
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厂商型号

MPSH10G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 25V 3-Pin TO-92 Bulk

内部编号

277-MPSH10G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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MPSH10G产品详细规格

规格书 MPSH10G datasheet 规格书
MPSH10G datasheet 规格书
MPSH10
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
晶体管类型 NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
频率转换 650MHz
噪声系数(dB的典型@ F) -
增益 -
功率 - 最大 350mW
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 60 @ 4mA, 10V
- 集电极电流(Ic)(最大) -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 25 V
最小直流电流增益 60@4mA@10V
最大工作频率 650(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.5@0.4mA@4mA V
最大集电极基极电压 30 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 350000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
标准包装 Bulk
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
发射极 - 基极电压VEBO 3 V
集电极 - 发射极饱和电压 25 V
增益带宽产品fT 650 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 60
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-92-3 (TO-226)
最低工作温度 - 55 C
封装 Bulk
工厂包装数量 5000
标准包装名称 TO-92
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350000
最大基地发射极电压 3
Maximum Transition Frequency 650(Min)
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 25
铅形状 Through Hole
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 650MHz
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 350mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 60 @ 4mA, 10V
其他名称 MPSH10GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 25 V
发射极 - 基极电压 3 V
频率(最大) 650 MHz
功率耗散 350 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 60
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 650 MHz
直流电流增益 60
Current,Gain 60
PackageType TO-92
极性 NPN
PowerDissipation 1W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 125°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 25V
Voltage,CollectortoBase 30V
Voltage,CollectortoEmitter 25V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 0.5V
Voltage,EmittertoBase 3V

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