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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 650MHz |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 4mA, 10V |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.05 A |
| 集电极 - 基极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 25 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3 V |
| 频率（最大） | 650 MHz |
| 功率耗散 | 0.35 W |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 引脚数 | 3 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 60 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 频率 | 650 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 0.05 A |
| 直流电流增益 | 60 |
| 频率 - 跃迁 | 650MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 60 @ 4mA, 10V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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