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厂商型号

MJD350T4 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 0.5A 300V 15W PNP

内部编号

277-MJD350T4

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:249548
1+¥1.9262
25+¥1.8492
100+¥1.7722
500+¥1.6951
1000+¥1.618
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:15
1+¥27.4955
10+¥26.162
25+¥24.8539
50+¥24.1998
100+¥23.5458
250+¥22.2377
500+¥20.9296
1000+¥18.9674
最小起订量:1
美国费城
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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MJD350T4产品详细规格

规格书 MJD350T4 datasheet 规格书
MJD340,350
文档 Multiple Devices 14/Apr/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装 10
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC -
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 30 @ 50mA, 10V
功率 - 最大 1.56W
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Cut Tape (CT)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
电流 - 集电极截止(最大) 100µA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 DPAK-3
封装 Cut Tape (CT)
功率 - 最大 1.56W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 30 @ 50mA, 10V
其他名称 MJD350T4OSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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