on semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 300 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 30@50mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@10mA@100mA V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1560 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 1560 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 3 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 300 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大集电极发射极电压 | 300 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 50mA, 10V |
| 其他名称 | MJD350T4GOSTR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Bipolar Power |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.38 x 6.73 x 6.22mm |
| 身高 | 2.38mm |
| 长度 | 6.73mm |
| 最大集电极基极电压 | 300 V |
| 最大基地发射极电压 | 3 V |
| 最高工作温度 | +150°C |
| 最低工作温度 | -65°C |
| 包装类型 | DPAK |
| 宽度 | 6.22mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 50 mA at 10 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 300 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.5 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :300V |
| Transition Frequency ft | :10MHz |
| 功耗 | :15W |
| DC Collector Current | :500mA |
| DC Current Gain hFE | :240 |
| No. of Pins | :4 |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85331000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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