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数量:0 |
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| 规格书 |
 BS107, BS107A |
| 文档 |
Multiple Devices 03/Jan/2008 |
| 产品更改通知 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 250mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 60pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 形式ed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 250mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 1mA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 60pF @ 25V |
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