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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BS107P |
| 文档 |
TO-92 Side TO-92 Front TO-92 Pin Out |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 120mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 30 Ohm @ 100mA, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3E-Line |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.12 A |
| RDS -于 | 30000@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 包装高度 | 4.01(Max) |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 30000@5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 2.41(Max) |
| 供应商封装形式 | E-Line |
| 包装长度 | 4.77(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.12 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 120mA (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 其他名称 | BS107 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 30 Ohm @ 100mA, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.12 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 15 Ohms |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | FET |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 120 mA |
| 长度 | 4.77 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 15 Ohms |
| 系列 | BS107 |
| 身高 | 4.01 mm |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW |
| 技术 | Si |
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