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Multiple Devices 30/Jun/2006 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 100µA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30000 @ 20mA, 2V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最小直流电流增益 | 30000@20mA@2V |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 30 |
最大基地发射极电压 | 10 |
封装 | Tape and Reel |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 1 |
最低工作温度 | -55 |
铅形状 | Formed |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 1500 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 100µA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30000 @ 20mA, 2V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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