,TO-226_straightlead.jpg)
图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BC517 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 1.2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 100µA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 30000 @ 20mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 安装 | Through Hole |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.1mA@100mA |
| 包装宽度 | 4.19(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 1.2 |
| 包装长度 | 5.2(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 30000@20mA@2V |
| 包装高度 | 5.33(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 10 |
| 封装 | Bulk |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 100µA, 100mA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30000 @ 20mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 1.2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 发射极 - 基极电压 | 10 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 30000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1V @ 100µA, 100mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30000 @ 20mA, 2V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1.2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30V |
BC517也可以通过以下分类找到
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
