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图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 800mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 160 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 260MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | No |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 增益带宽产品fT | 260 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 160 at 100 mA at 1 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92-3 (TO-226) |
| 连续集电极电流 | - 0.8 A |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 260MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 160 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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