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图片仅供参考,产品以实物为准
| 文档 |
Multiple Devices 02/Jan/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装 | 5,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 800mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 260MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 260MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| 频率 - 跃迁 | 260MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA, 1V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 800mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
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