图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJD340,350 |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
| 标准包装 | 75 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | - |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 30 @ 50mA, 10V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 |
| 最小直流电流增益 | 30@50mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 1560 |
| 最大基地发射极电压 | 3 |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 300 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大集电极发射极电压 | 300 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA |
| 标准包装 | 75 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 300V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 50mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 300 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 300 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3 V |
| 功率耗散 | 1.56 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 30 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | PNP |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 直流电流增益 | 30 |
| Current,Collector | 0.5A |
| Current,Gain | 240 |
| PackageType | DPAK |
| 极性 | PNP |
| PowerDissipation | 15W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 8.33°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 300V |
| Voltage,CollectortoBase | 300V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 300V |
| Voltage,EmittertoBase | 3V |
| associated | MJD350T4G |
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