图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BD675(A),77(A),79(A),81 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2.8V @ 40mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 750 @ 2A, 3V |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | TO225AA |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-225 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 750@2A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.8@40mA@2A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Boxed |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | TO-225 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Bulk |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.8@40mA@2A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.8V @ 40mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | TO225AA |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 2A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 7.74 x 2.66 x 11.04mm |
| 身高 | 11.04mm |
| 长度 | 7.74mm |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 最大集电极截止电流 | 0.2mA |
| 最大连续集电极电流 | 4 A |
| 最大基地发射极电压 | 5 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-225 |
| 宽度 | 2.66mm |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 750 |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 80 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.8 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 750 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 4 A |
| Amplification | ≥750 |
| Collector-emitter voltage | 80 |
| Collector current | 4 A |
| Power dissipation | 40 |
| Housing type | TO-126 |
| 封装类型 | TO-225 |
| 最大集电极-发射极电压 | 80 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大集电极-基极截止电流 | 0.2mA |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最大连续集电极电流 | 4 A |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 11.04mm |
| 宽度 | 2.66mm |
| 尺寸 | 7.74 x 2.66 x 11.04mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 750 |
| 长度 | 7.74mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 2.8 V |
| 最大集电极-基极电压 | 80 V |
| 系列 | BD679A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| associated | DB120-20 FK 213 SA-32 MK3311 |
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