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| 规格书 |
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BD679 View All Specifications |
| 其他相关文件 | BD679 View All 规格 |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 750 @ 1.5A, 3V |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15147?mpart=BD679&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3SOT-32 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 峰值直流集电极电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 750@1.5A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | SOT-32 |
| 标准包装名称 | TO-126 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 80 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tube |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2.5@30mA@1.5A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| P（ TOT ） | 40W |
| 匹配代码 | BD679 |
| I（C ） | 4A |
| V（ CEO ） | 80V |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 50 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 750 |
| V（ CBO ） | 80V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 30mA, 1.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V |
| 供应商设备封装 | SOT-32-3 |
| 功率 - 最大 | 40W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 1.5A, 3V |
| 其他名称 | 497-5776 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| 功耗 | :40W |
| DC Collector Current | :4A |
| DC Current Gain hFE | :750 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-32 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Av Current Ic | :4A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :4A |
| Current Ic Continuous a Max | :4A |
| Current Ic hFE | :1.5A |
| Device Marking | :BD679 |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Hfe Min | :750 |
| No. of Transistors | :1 |
| Power Dissipation Ptot Max | :40W |
| Voltage Vcbo | :80V |
| Weight (kg) | 0.00064 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Gain | 750 |
| Current,Input | 0.1A |
| Current,Output | 4A |
| PackageType | SOT-32 |
| 极性 | NPN |
| PowerDissipation | 40W |
| PrimaryType | Si |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 2.5V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 80V |
| associated | BD679 BD679AG |
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