BD679

产品描述

Transistors Darlington 4A 80V Bipolar

内部编号

生产厂商

数量:1770

最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.

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规格书	BD675(A),77(A),79(A),81
文档	Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装	500
晶体管类型	NPN - Darlington
- 集电极电流（Ic）（最大）	4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	80V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	2.5V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止（最大）	500µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	750 @ 1.5A, 3V
功率 - 最大	40W
频率转换	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装	TO225AA
包装材料	Bulk
供应商封装形式	TO-225
最小直流电流增益	750@1.5A@3V
最高工作温度	150
最大集电极发射极电压	80
最大基地发射极电压	5
封装	Box
最大集电极发射极饱和电压	2.5@30mA@1.5A
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	80
Maximum Continuous DC Collector Current	4
最低工作温度	-55
铅形状	Through Hole
类型	NPN
引脚数	3
最大功率耗散	40000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	4A
晶体管类型	NPN - Darlington
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	2.5V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止（最大）	500µA
标准包装	500
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	80V
供应商设备封装	TO225AA
功率 - 最大	40W
封装/外壳	TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	750 @ 1.5A, 3V
其他名称	BD679OS
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
BD679A	ON Semiconductor	Transistors Darlington 4A 80V Bipolar
BD679A	stmicroelectronics	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
BD679AG	on semiconductor	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
BD679AG	rochester electronics	BIP C77 NPN 4A 80V
BD679AS	fairchild semiconductor	NPN/80V/4A
BD679AS	rochester electronics
BD679ASTU	fairchild semiconductor	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
BD679G	on semiconductor	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk

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