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数量:10001 |
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规格书 |
2N4403 |
文档 |
Multiple Devices 30/Sept/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Discontinuation 30/Sept/2011 |
标准包装 | 5,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 600mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 750mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 150mA, 2V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-92 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 40 V |
集电极最大直流电流 | 0.6 A |
最小直流电流增益 | 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2V |
最大工作频率 | 200(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
集电极最大直流电流 | 0.6 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 625 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 200(Min) |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 600mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 150mA, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.6 A |
集电极 - 基极电压 | 40 V |
集电极 - 发射极电压 | 40 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 200 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
晶体管极性 | PNP |
频率 | 200 MHz |
删除 | Compliant |
直流电流增益 | 30 |
集电极电流(DC ) | 0.6 A |
Current,Collector | 600mA |
Current,Gain | 20 |
PackageType | TO-92 |
极性 | PNP |
PowerDissipation | 1.5W |
PrimaryType | Si |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 83.3°C/W |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 40V |
Voltage,CollectortoBase | 40V |
Voltage,CollectortoEmitter | 40V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.75V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
associated | 2N4403G 2N4403 2N4403BU |
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