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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2N4403G 

产品描述

Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3-Pin TO-92 Bulk

内部编号

277-2N4403G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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2N4403G产品详细规格

规格书 2N4403G datasheet 规格书
2N4403G datasheet 规格书
2N4403
文档 Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装 5,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 750mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 2V
功率 - 最大 625mW
频率转换 200MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
包装 3TO-92
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.6 A
最小直流电流增益 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2V
最大工作频率 200(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Boxed
集电极最大直流电流 0.6
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 200(Min)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 40
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 750mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 40 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 200 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 200 MHz
删除 Compliant
直流电流增益 30
集电极电流(DC ) 0.6 A
Current,Collector 600mA
Current,Gain 20
PackageType TO-92
极性 PNP
PowerDissipation 1.5W
PrimaryType Si
Resistance,Thermal,JunctiontoCase 83.3°C/W
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoBase 40V
Voltage,CollectortoEmitter 40V
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation 0.75V
Voltage,EmittertoBase 5V
associated 2N4403G
2N4403
2N4403BU

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