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图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1121 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1121 |
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最小起订金额:￥1850 比利时布鲁塞尔 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2308615 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 2N4403, MMBT4403 |
| 文档 |
Copper Lead Frame 12/Oct/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 150mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 200MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V|100@150mA@2V|20@500mA@2V |
| 最大工作频率 | 200(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 零件号别名 | 2N4403BU_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 单位重量 | 0.006314 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.75 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.6 A |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 系列 | 2N4403 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 200 MHz |
| 功率耗散 | 0.625 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 200 MHz |
| 直流电流增益 | 30 |
| 集电极电流（DC ） | 0.6 A |
| 案例 | TO92 |
| Transistor type | PNP |
| 功率 | 350mW |
| 极化 | bipolar |
| Multiplicity | 1 |
| Collector-emitter voltage | 40V |
| Gross weight | 0.2 g |
| Collector current | 600mA |
| Collective package [pcs] | 1000 |
| spg | 1000 |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA, 2V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 最大直流集电极电流 | 0.6 A |
| 高度 | 5.33mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -0.95 V |
| 长度 | 5.2mm |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 安装类型 | 通孔 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 40 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -0.40 V |
| 最低工作温度 | -50 °C |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 宽度 | 4.19mm |
| 尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 最大集电极-基极电压 | -40 V |
| 封装类型 | TO-92 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大工作频率 | 200 MHz |
| 宽度 | 3.93 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 4.7 mm |
| 身高 | 4.7 mm |
| Pd - Power Dissipation | 625 mW |
| associated | 80-4-5 |
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