规格书 |
2N4403 |
文档 |
Multiple Devices 03/Apr/2007 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 600mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 750mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 150mA, 2V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 200MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Tape & Box (TB) |
集电极最大直流电流 | 0.6 |
最小直流电流增益 | 30@0.1mA@1V|60@1mA@1V|100@10mA@1V... |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 625 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 200(Min) |
封装 | Tape and Ammo |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 40 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Formed |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 600mA |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 200MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 40V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 150mA, 2V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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