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厂商型号

RC28F00BM29EWHA 

产品描述

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 2Gbit 256M/128M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin BGA Tray

内部编号

259-RC28F00BM29EWHA

生产厂商

micron

Micron Technology

#1

数量:217
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美国纽约
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RC28F00BM29EWHA产品详细规格

规格书 RC28F00BM29EWHA datasheet 规格书
RC28F00BM29EWHA datasheet 规格书
M29EW Axcell Flash Memory
文档 Parallel NOR Flash MPN Terminations 04/Oct/2013
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 184
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 2G (256M x 8, 128M x 16)
速度 100ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 64-LBGA
供应商器件封装 64-FBGA (11x13)
包装材料 Tray
包装 64BGA
电池类型 NOR
密度 2 Gb
建筑 Sectored
块组织 Symmetrical
位置引导块 Bottom|Top
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 128Kbyte x 2048
支持页面模式 Yes
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 18/17 Bit
接口类型 Parallel
页面大小 16/32 word/byte
标准包装 Trays
安装 Surface Mount
包装宽度 11
包装长度 13
PCB 64
地址总线宽度 18/17
密度 2G
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Not Compliant
字数 256M/128M
最低工作温度 -40
供应商封装形式 BGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
编程电压 11.5 to 12.5
每字位数 8/16
引导块 Yes
最低工作电源电压 2.7
引脚数 64
最大工作电流 31
包装高度 0.8
最大随机存取时间 100
封装 Tray
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Ball
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 64-FBGA (11x13)
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 2G (256M x 8, 128M x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 64-LBGA
接口 Parallel
速度 100ns
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant
访问时间(最大) 100 ns
地址总线 18/17 b
引导类型 Bottom/Top
工作温度范围 -40C to 85C
包装类型 BGA
编程/擦除电压(典型值) 11.5 to 12.5 V
字长 8/16 b
工作温度(最大) 85C
工作温度(最小值) -40C
同步/异步 Asynchronous
工作温度分类 Industrial
可编程 Yes
电源电流 31 mA
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 3/3.3 V
工作电源电压(最小值) 2.7 V
工作电源电压(最大值) 3.6 V
删除 Not Compliant

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