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规格书 |
Flash Memory P33-65nm |
包装 | 64EBGA |
电池类型 | NOR |
密度 | 64 Mb |
建筑 | Sectored |
块组织 | Asymmetrical |
位置引导块 | Top |
典型工作电源电压 | 2.5|3.3 V |
扇区大小 | 32Kbyte x 4|128Kbyte x 63 |
支持页面模式 | Yes |
定时类型 | Asynchronous|Synchronous |
工作温度 | -40 to 85 °C |
地址总线宽度 | 22 Bit |
接口类型 | Parallel|Serial |
页面大小 | 8 Words |
标准包装 | Trays |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 8 |
包装长度 | 10 |
PCB | 64 |
地址总线宽度 | 22 |
密度 | 64M |
典型工作电源电压 | 2.5|3.3 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
字数 | 4M |
最低工作温度 | -40 |
供应商封装形式 | EBGA |
标准包装名称 | BGA |
最高工作温度 | 85 |
编程电压 | 8.5 to 9.5 |
每字位数 | 16 |
引导块 | Yes |
最低工作电源电压 | 2.3 |
引脚数 | 64 |
最大工作电流 | 28 |
包装高度 | 0.78 |
最大随机存取时间 | 60 |
封装 | Tray |
最大工作电源电压 | 3.6 |
格式 - 存储器 | FLASH |
供应商设备封装 | 64-EasyBGA (10x13) |
内存类型 | FLASH - NOR |
存储容量 | 64M (4M x 16) |
电压 - 电源 | 2.3 V ~ 3.6 V |
封装/外壳 | 64-TBGA |
接口 | Parallel |
速度 | 60ns |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
块组织 | Asymmetrical |
外形尺寸 | 10.1 x 8.1 x 1.2mm |
身高 | 1.2mm |
长度 | 10.1mm |
最大工作电源电压 | 3.6 V |
最高工作温度 | +85 °C |
最大随机存取时间 | 60ns |
最低工作电源电压 | 2.3 V |
最低工作温度 | -40 °C |
安装类型 | Surface Mount |
每字位数 | 16bit |
组织 | 4M x 16 bit |
包装类型 | EBGA |
宽度 | 8.1mm |
Memory Configuration | :512K x 16bit |
Supply Voltage Min | :2.3V |
Supply Voltage Max | :3.6V |
Memory Case Style | :BGA |
No. of Pins | :64 |
时钟频率 | :52MHz |
访问时间 | :60ns |
IC Interface Type | :Parallel |
Operating Temperature Min | :-40°C |
Operating Temperature Max | :85°C |
MSL | :MSL 3 - 168 hours |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
工作温度范围 | :-40°C to +85°C |
Supply Voltage Range | :2.3V to 3.6V |
Weight (kg) | 0.00025 |
Tariff No. | 85423261 |
PC28F640P33TF60A也可以通过以下分类找到
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