图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
J3vD Embedded Flash Memory |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 864 |
| 格式 - 记忆 | FLASH |
| Memory 型 | FLASH - Nor |
| 内存大小 | 64M (8M x 8, 4M x 16) |
| 速度 | 75ns |
| 接口 | Parallel (Byte-wide) |
| - 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 64-TBGA |
| 供应商器件封装 | 64-EasyBGA (13x10) |
| 包装材料 | Tray |
| 接口类型 | Parallel |
| 安装 | Surface Mount |
| 定时类型 | Asynchronous |
| 包装宽度 | 10 |
| 引导块 | No |
| PCB | 64 |
| 地址总线宽度 | 23/22 |
| 典型工作电源电压 | 3|3.3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 字数 | 8M/4M |
| 最低工作温度 | -40 |
| 电池类型 | NOR |
| 供应商封装形式 | EZBGA |
| 标准包装名称 | BGA |
| 最高工作温度 | 85 |
| 编程电压 | 2.7 to 3.6 |
| 每字位数 | 8/16 |
| 建筑 | Sectored |
| 包装长度 | 13 |
| 最低工作电源电压 | 2.7 |
| 引脚数 | 64 |
| 块组织 | Symmetrical |
| 包装高度 | 0.78 |
| 最大随机存取时间 | 75 |
| 封装 | Tray |
| 最大工作电源电压 | 3.6 |
| 密度 | 64M |
| 铅形状 | Ball |
| 标准包装 | 864 |
| 格式 - 存储器 | FLASH |
| 供应商设备封装 | 64-EasyBGA (10x13) |
| 内存类型 | FLASH - NOR |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 存储容量 | 64M (8M x 8, 4M x 16) |
| 电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 封装/外壳 | 64-TBGA |
| 接口 | Parallel |
| 速度 | 75ns |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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