图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2N7002 Datasheet |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 115mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.12(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 7500@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.4(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 包装长度 | 3.04(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 0.115 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 115mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 50pF @ 25V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | 2N7002-TPMSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 115 mA |
| 系列 | 2N7002 |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 正向跨导 - 闵 | 80 mS |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 7.5 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 极性 | N |
| 类型 | Small Signal |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :115mA |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :1.2ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10VDC |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| No. of Pins | :3 |
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